فصل دهم کتاب الکترونیک قدرت – مدارهای راهانداز، اسنابر و گرماگير
سرعت سوئيچينگ يک ترانزيستور نه تنها توسط خود کليد تعيين ميشود بلکه به مدار راهانداز گيت يا بيس آن نيز بستگي دارد. مدار راهانداز دو اميتر- پيرو براي ماسفت (يا IGBT) به طور قابل ملاحظهاي زمان سوئيچينگ را با تزريق يا کشيدن سريع جريان مورد نياز براي بار ذخيره شده در ماسفت کاهش ميدهد. همچنین يک مدار راهانداز بيس که داراي اسپايکهاي بزرگ جريان در زمان روشن و خاموش شدن ترانزيستور دو قطبي است، زمانهاي سوئيچينگ را به طور قابل توجهي کاهش ميدهد.
مدارهای اسنابر تلفات توان قطعات در حين سوئيچينگ را کاهش داده و از قطعه در مقابل استرسهاي زياد ولتاژ و جريان سوئيچينگ محافظت ميکنند. هر چند تلفات سوئيچينگ ترانزيستور توسط اسنابر کاهش مييابد ولي تلفات کل سوئيچينگ ممکن است کاهش پيدا نکند چرا که توان در مدار اسنابر تلف ميشود. مدارهای اسنابر بازيابي انرژي ميتوانند با حذف مقاومت اسنابر، تلفات سوئيچينگ را بيشتر کاهش دهند.
کتاب الکترونیک قدرت
فصل دهم کتاب الکترونیک قدرت اینگونه شروع می گردد: در زمان طراحي مدارهای الکترونيک قدرت، کمينه کردن تلفات توان در کليدها يک هدف مهم است. تلفات توان در حالت روشن بودن بهعلت صفر نبودن ولتاژ دو سر کليد رخ ميدهد در حالي که تلفات سوئيچينگ بهخاطر اينکه کليد نميتواند بهطور لحظهاي از يک حالت به حالت ديگر برود اتفاق ميافتد و تلفات سوئيچينگ در بسياري از مبدلها بزرگتر از تلفات حالت روشن است. تلفات کليد در اين نوع مبدلها ميتواند با طراحي مدارهای راهانداز جهت عبور سريعتر از حالت تغيير وضعيت کمينه شود. مدارهای اسنابر براي اصلاح شکل موجهاي سوئيچينگ طراحي ميشوند تا تلفات توان را کاهش داده و از کليد محافظت کند. تلفات توان در يک کليد الکترونيکي باعث توليد گرما شده و محدوديت دماي قطعات در طراحي تمام مدارهای مبدلها يک پارامتر حياتي است. مطالب این فصل عبارت اند از:
- 1-10- مقدمه
- 2-10- مدارهای راهانداز MOSFET و IGBT
- 3-10- مدارهای راهانداز ترانزيستورهاي دوقطبي
- 4-10- مدارهای راهانداز تريستور
- 5-10- مدارهای اسنابر ترانزيستور
- 6-10- مدارهای اسنابر بازيابي انرژي
- 7-10- مدارهای اسنابر تريستور
- 8-10-گرماگير و مديريت حرارتي
- 9-10- خلاصه
- مسائل
دیدگاه خود را ثبت کنید
میخواهید به بحث بپیوندید؟احساس رایگان برای کمک!